特定用途（半導体製造プロセス用等）

反応プロセス向け

半導体・FPD等の製造の主要な真空プロセスであるドライエッチング、CVDでは、反応ガスや、反応後の副生成物がポンプ内に堆積することへの対策として、ポンプ内部の接ガス面の腐食対策(耐腐食コーティング・保護機構)や、ドライエッチングによる副生成物がポンプ内に堆積することを防ぐ機能（温度調節機能）が加わっています。使用されるガスや加工される材料により、腐食性や堆積物の発生度合は大きく異なるため、付加機能を選択できるように多彩なラインアップとしています。
このような機能を搭載した型式を、TMP-〇〇〇〇LMTF　 TMP-〇〇〇〇LMTC　としており、Tは生成物対策、F・Cは腐食対策を示します。F型はロータ（動翼）・ステータ（固定翼）に耐食コーティングを行い、C型はロータ（動翼）に耐食コートを行っています。

反応生成物対策型 ターボ分子ポンプ ラインナップ

主要モデル

TMP-5305LMTF

特長： 

• 反応生成物対応
  半導体やFPDのドライエッチングで発生する反応生成物に対して、ロータ表面処理、ポンプ温度調節、ダイナミックシールなどのポンプ保護対応も万全です。
  （詳細仕様については別途お問い合わせください。）
• 新フィールドネットワーク対応
  TMP-5305用コントローラEI-A05シリーズは、RS-232CおよびRS-485のシリアル通信のほかEtherCAT通信も選択可能です。通信機能により、TMPの起動／停止、運転状況の監視、運転履歴の読み出しが可能です。
• 圧倒的な排気流量
  Ar許容流量は4000SCCMを実現。
• 業界最高レベルの排気速度^※
  ドライエッチングプロセス向けとして最高の排気速度（5300 L/s）を実現しました。微細化・多層化が進展するデバイス製造に最適なポンプです。
• ※ドライエッチングプロセス向け当社調べ

TMP-4304LMTF

コンパクトでシンプルなデザインながら、優れた排気性能と高い省エネ性能を備えています。
大量のガスを安定して連続排気することができ、広い圧力範囲で使用可能です。

特長：  

• 反応生成物対応
  半導体ドライエッチングやFPDドライエッチングで発生する反応生成物に対して、ロータ表面処理、ポンプ温度調節、ダイナミックシールなどのポンプ保護対応も万全です。
  （詳細仕様については別途お問い合わせください。）
• 排気性能を向上
  ∅300mmウェハ、大型LCD基板の真空プロセス用途として、従来機種よりも1～5Pa領域での排気速度を大幅に向上させました。
  到達真空圧を維持しながら、より大流量のガスを導入できます。

TMP-X2905LMTC / TMP-X3405LMTC

TMP-X3405LMTC

特長: 

• ポンプ本体・制御電源一体型
• 温度調整機能等を備え、反応生成物を伴うプロセスや腐食性ガスを使用するプロセスで使用
• 排気性能の向上

希薄気体流解析および構造解析技術の応用により、高効率排気を実現。さらなる排気性能の向上を達成しました。 

• コンパクト
• 省エネルギー
• 各種通信ネットワーク対応およびローカル操作対応

RS-232C及びRS-485準拠のシリアル通信ポートを装備し、TMPの起動／停止のほか、運転状況の監視、運転履歴の読み出しが可能です。
オプションのモニタソフトウェアにより、RS-485通信では最大32台までのTMPを一台のコンピューターで監視できます。Profibus通信オプション品も選択可能です。
 

反応性プロセスガス向け

副生成物の発生が少ないプロセスの場合、反応性プロセスガス対策機能としての耐腐食コーティングを行ったTMPが使用されます。
型式は、TMP-〇〇〇〇LMC　です。

反応性プロセスガス対策C型 ラインナップ

高圧縮比モデル

10⁶オーダの水素圧縮比を持ち、到達圧力が10⁻⁹Paオーダである、超高真空排気に適したターボ分子ポンプです。
かつ、吸気側圧力は70 paから排気が行えるため、幅広い圧力領域でご使用いただけます。