真空装置 ロードロック式スパッタリング装置

スマートホンなどのタッチパネル向け、太陽電池、有機ELなど現在注目されている分野に使用されているITOフィルムの研究・開発用に最適なスパッタリング装置を提供しています。

フットプリント W2420×D1230(高さ1550mm)
仕様 スパッタ性能 形成膜 非磁性体金属、透明導電膜等
膜厚分布 □100mm内±5%以下(ITO膜厚100nmにて)
シート抵抗分布 □100mm内±5%以下(ITO膜厚100nmにて)
シート抵抗 50Ω/□以下(ITO膜厚100nmにて)
スパッタ方式 スパッタアップ
放電モード 高周波または直流マグネトロン放電(重畳可)
ターゲット 4インチ3個
スパッタガス   Ar,O2
基板サイズ   125mm×125mm×0.7~5mm ガラス基板1枚
基板加熱 最高温度 350℃
温度分布 100~300℃で±5℃以内
基板回転   20rpm
到達圧力 スパッタ室 1.0×10−4Pa以下(常温・無負荷、N2リーク時)
排気時間 ロードロック室 大気圧から10Paまで2分
(常温・無負荷、N2リーク時)
スパッタ室 大気圧から1.3×10−3Paまで1時間以内
(常温・無負荷、N2リーク時)
操作モード   自動モード・手動モード
電源   φ3 AC200V 50/60Hz 13kVA

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