真空装置 高周波マグネトロン3層スパッタリング装置

HSR-351L (ロードロック式)

 

HSR-351

形成膜 金属材料、絶縁物
膜圧分布 回転時 φ100mm内±5%以内
静止時 φ40mm内±10%以内
スパッタ方式 デポアップ
電極間距離 70~110mm
ターゲットホルダー φ2インチ×3
ヒーター MAX300℃
基板回転 MAX20rpm
ガス導入系 Ar用MFC 1系統
高周波電源 13.56MHz 200W

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