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真空装置
高周波マグネトロン3層スパッタリング装置
HSR-351
HSR-351
HSR-351L (ロードロック式)
HSR-351L (ロードロック式)
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形成膜 金属材料、絶縁物
膜圧分布 回転時 φ100mm内±5%以内
静止時 φ40mm内±10% 以内
スパッタ方式 デポアップ
電極間距離 70〜110mm
ターゲットホルダー φ2インチ×3
ヒーター MAX300℃
基板回転 MAX20rpm
ガス導入系 Ar用MFC 1系統
高周波電源 13.56MHz 200W
 
ロードロック式スパッタリング装置
スマートホンなどのタッチパネル向け、太陽電池、有機ELなど現在注目されている分野に使用されているITOフィルムの研究・開発用に最適なスパッタリング装置を提供しています。
HSR-552S形
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フットプリント W2420×D1230(高さ1550mm)
仕様 スパッタ性能 形成膜 非磁性体金属、透明導電膜等
膜厚分布 □100mm内±5%以下(ITO膜厚100nmにて)
シート抵抗分布 □100mm内±5%以下(ITO膜厚100nmにて)
シート抵抗 50Ω/□以下(ITO膜厚100nmにて)
スパッタ方式 スパッタアップ
放電モード 高周波または直流マグネトロン放電(重畳可)
ターゲット 4インチ3個
スパッタガス Ar,O2
基板サイズ 125mm×125mm×0.7〜5mm ガラス基板1枚
基板加熱 最高温度 350℃
温度分布 100〜300℃で±5℃以内
基板回転 20rpm
到達圧力 スパッタ室 1.0×10-4Pa以下(常温・無負荷、N2リーク時)
排気時間 ロードロック室 大気圧から10Paまで2分
(常温・無負荷、N2リーク時)
スパッタ室 大気圧から1.3×10-3Paまで1時間以内
(常温・無負荷、N2リーク時)
操作モード 自動モード・手動モード
電源 φ3 AC200V 50/60Hz 13kVA
卓上型全自動制御真空蒸着装置
新製品    
簡単な機構で、どなたにでも手軽に操作ができ、本格的な真空蒸着が行えます。理化学実験用、表面分析資料作成用、小規模生産用など広い分野でご利用いただけます。
(写真のSUSベルジャーはオプションです。)

卓上型全自動制御真空蒸着装置 E-250DT
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蒸着性能 形成膜 金属等
膜厚分布 ø50mm area±5%
ø100mm area±10%
蒸着方式 抵抗加熱方式
蒸着電源 AC10V 100A(Max)
蒸着制御 電圧制御
ボート切替器 別置き
基板性能 サイズ ø100mm以下
回転機構 無し
排気性能 主ポンプ ターボ分子ポンプ(50 L/s)
補助ポンプ 油回転真空ポンプ(160L/min)
到達圧力 1.0E-4Pa order(1 hour)
ポンプ排気 許容排気口圧力 20kPaG以下
電 源 AC200V、1ø、50 / 60Hz、1.7KVA(1 電源)
AC200V、1ø、50 / 60Hz、2.7KVA(2 電源)
アース D種接地
重 量 装置本体 : 48kg
油回転真空ポンプ : 25kg
蒸着電源 : 26kg
ボート切替器 : 4kg
設置面積 本体 : W400×D400×H670mm(ベルジャ ø250×H330)
蒸着電源 : W260×D415×H320mm
ボート切替器 : W200×D320×H115mm
オプション SUS ベルジャ
膜厚モニター
ボート切替器
真空蒸着装置E-250A形
簡単な機構で、どなたにでも手軽に操作ができ、本格的な真空蒸着が行えます。理化学実験用、表面分析試料作成用、小規模生産用など広い分野でご利用いただけます。 E-250A形
ベルジャ 硬質ガラス製 直径250×高さ350mm
到達圧力 10-4Pa(7×10-3Paまで約15分)
蒸発電源 10V×100A
所要電源 単層100V 2kVA
※その他、ご要望等、ご相談に応じます。
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