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真空装置 |
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| 形成膜 |
金属材料、絶縁物 |
| 膜圧分布 |
回転時 φ100mm内±5％以内 |
| 静止時 φ40mm内±10％ 以内 |
| スパッタ方式 |
デポアップ |
| 電極間距離 |
70〜110mm |
| ターゲットホルダー |
φ２インチ×３ |
| ヒーター |
ＭＡＸ300℃ |
| 基板回転 |
ＭＡＸ20ｒｐｍ |
| ガス導入系 |
Ａｒ用MFC １系統 |
| 高周波電源 |
13.56MHz 200Ｗ |
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| ■スパッタリング装置HSR-552S形 HSR-521A形 |
| 超伝導薄膜の形成方法の一つとして、スパッタリング法が注目を集めています。豊富な薄膜形成技術と数多くの納入実績をもとに、研究用として最適な｢超伝導薄膜形成用スパッタリング装置｣を開発、提供しています。 |
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HSR-552S |
HSR-521A |
| 形成膜(ターゲット材) |
Y2O3,BaCO3,Cuo |
金属材料、絶縁物 |
| スパッタ速度 |
- |
(Al)4000Å/min (Si02)900Å/min |
| 膜圧分布 |
φ50にて±10%以内 |
← |
| スパッタ方式 |
スパッタアップ方式 |
← |
| 放電モード |
高周波マグネトロン放電 |
← |
| 電極間距離 |
40〜70mm |
← |
| ターゲットホルダー |
4B×3個 |
← |
| 基板サイズ・取付枚数 |
80φ×1枚 |
100φ×3枚 |
| 基板加熱機構 |
Max800℃ |
Max300℃ |
| 基板回転機構 |
10〜100rpm |
← |
| ガス導入系 |
MFC2系統 |
バリアブルリーク材料 1系統 |
| 高周波電源 |
他励式500W 13.56MHz
(自動マッチング)
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他励式 1kW 13.56MHz
(手動マッチング) |
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| ■真空蒸着装置E-250A形 |
| 簡単な機構で、どなたにでも手軽に操作ができ、本格的な真空蒸着が行えます。理化学実験用、表面分析試料作成用、小規模生産用など広い分野でご利用いただけます。 |
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| ベルジャ |
硬質ガラス製 直径250×高さ350mm |
| 到達圧力 |
10-4Pa(7×10-3Paまで約15分) |
| 蒸発電源 |
10V×100A |
| 所要電源 |
単層100V 2kVA |
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